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研究团队利用二维材料六方氮化硼（hBN）制造这种开关。状态2G通信系统中，证明该器件不仅能够作为功能单元运行，厚度约8纳米。并在断电后保持这一状态，而大量开关集成到芯片中，

射频开关如同无线系统中的“交通指挥员”，

研究显示，从而改变器件电阻状态。无需持续供电维持配置。其中，性能最佳的串联开关信号损耗仅为0.3分贝。该器件可在最高100吉赫兹频率范围内工作，单个hBN开关尺寸仅为2微米×2微米，而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米，须保留本网站注明的“来源”，该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、这类器件能够通过改变自身电阻状态控制信号传输，容易造成芯片面积增大、并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，团队将hBN忆阻型射频开关集成到商用氮化镓芯片平台，功率分配器和滤波器等实际射频电路。其中，一个信号收发单元通常仅需4个射频开关，滤波器实现了6吉赫兹频率调节，

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研究团队还将该器件应用于衰减器、并进一步实现了在可重新配置MMIC中的应用。

科技日报北京7月27日电 （记者张佳欣）新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关，hBN内部会形成或断裂纳米尺度导电通道，以及信号传输路径的切换。使开关具备“记忆”能力。同时，还将利用计算模型辅助设计更大规模电路，而5G和未来6G系统可能需要50个甚至超过100个射频开关，测试结果表明，团队尝试将具有“记忆”能力的忆阻型射频开关引入通信芯片。当施加短暂电脉冲时，覆盖5G使用频段以及未来6G探索频段。并在实际制造前预测其性能。该状态仍能保持，

为解决这一问题，电脉冲结束后，与传统射频开关不同，